Накопитель SSD Samsung 1.0Tb 990 PRO (MZ-V9P1T0BW)

4,5

2 оценки - 2 отзыва

0 оценки - 0 отзыва

Samsung MZ-V9P1T0BW

Артикул	1000090714
Имя товара	Накопитель SSD Samsung 1.0Tb 990 PRO (MZ-V9P1T0BW)
Производитель	Samsung
Артикул производителя	MZ-V9P1T0BW
Штрихкод	8806094215021
Модель	-
Найденные продавцы	Котофото \| E2e4online \|

Накопитель SSD Samsung 1.0Tb 990 PRO (MZ-V9P1T0BW)

14980.00 ₽

Все товары бренда Samsung

Оплата онлайн, доставку уточняpте у продавца

Накопитель SSD Samsung 1.0Tb 990 PRO (MZ-V9P1T0BW)

14980.00 ₽

Оплата онлайн, доставку уточняpте у продавца

Твердотельный накопитель (SSD) Samsung 1Tb 990 Pro, 2280, M.2, NVMe (MZ-V9P1T0BW) Retail

15000.00 ₽

Артикул в нашем сервисе	1000090714
Имя товара	Накопитель SSD Samsung 1.0Tb 990 PRO (MZ-V9P1T0BW)
Производитель	Samsung
Артикул производителя	MZ-V9P1T0BW
Штрихкод	8806094215021
Модель	-
Найденные продавцы	Котофото \| E2e4online \|

Линейка	990 PRO
Емкость	1 ТБ
Тип флэш-памяти	V-NAND 3-bit MLC
Контроллер	Samsung
Назначение	для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, игровой
Форм-фактор	M.2 2280

Скорость чтения	7450 МБ/с
Скорость записи	6900 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	1550000 IOPS

Ударостойкость при работе	1500 G
Ударостойкость при хранении	1500 G
Время наработки на отказ	1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	600 ТБ

Поддержка технологий

NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных

Макс. рабочая температура	70 °C
Потребляемая мощность	5.4 Вт
Высота	2.3 мм
Длина	80 мм
Ширина	22 мм
Вес	9 г
Дополнительная информация	маскимальная потребляемая мощность в режиме Burst: 7.8 Вт
Гарантийный срок	1 мес., Гарантия продавца 1 месяц

версия NVMe	2.0
Алгоритмы шифрования данных	256-bit AES
форм-фактор тевродотельного диска	M.2
Объем SSD	1 Tb
Интерфейс	PCI Express 4.0
Тип памяти	V-NAND MLC
NVMe	да
Комплектующие для	ПК
аппаратное шифрование	да
Скорость считывания	7450 MB/s
Скорость записи	6900 MB/s
Случайное чтение (4KB)	1200000 IOPS
Случайная запись (4KB)	1550000 IOPS
линии данных интерфейса PCI Express	x4
Поддержка DevSlp (device sleep)	да
Поддержка S.M.A.R.T.	да
Поддержка TRIM	да
Внешний кеш DDR	да
Количество внешнего кеша DDR	1024 MB
Среднее время наработки на отказ	1500000 h

Рабочее напряжение	3,3 V
Максимальное потребление энергии	7,8 W
Среднее потребление энергии	5,4 W

Диапазон температур при эксплуатации	0 - 70 °C
Максимальная температура при эксплуатации	70 °C
Вибрация в рабочем режиме	1500 G