Оперативная память Silicon Power 8GB 2666МГц DDR4 CL19 DIMM 1Gx8 SR SP008GBLFU266B02

4,5

2 оценки - 2 отзыва

Оперативная память Silicon Power 8GB 2666МГц DDR4 CL19 DIMM 1Gx8 SR SP008GBLFU266B02

0 оценки - 0 отзыва

Silicon Power SP008GBLFU266B02

Артикул	1000053566
Имя товара	Оперативная память Silicon Power 8GB 2666МГц DDR4 CL19 DIMM 1Gx8 SR SP008GBLFU266B02
Производитель	Silicon Power
Артикул производителя	SP008GBLFU266B02
Штрихкод	4713436123293
Модель	-
Найденные продавцы	Котофото \| Oldi \| E2e4online \|

Оперативная память Silicon Power – качественная оснастка от проверенного производителя. Она изготовлена с применением лучшего сырья, используется передовое оборудование, соблюдаются стандарты. Надежность модуля не вызывает сомнений. Тактовая частота – 2666 МГц. Это отличный параметр, можно добиться высокого быстродействия компьютера. Дополнительно процессор получает быструю ОЗУ, благодаря чему раскрывается его потенциал.

2000.00 ₽

Найдено 3 предложения данного товара

Все товары бренда Silicon Power

Технические характеристики Silicon Power SP008GBLFU266B02

Артикул в нашем сервисе	1000053566
Имя товара	Оперативная память Silicon Power 8GB 2666МГц DDR4 CL19 DIMM 1Gx8 SR SP008GBLFU266B02
Производитель	Silicon Power
Артикул производителя	SP008GBLFU266B02
Штрихкод	4713436123293
Модель	-
Найденные продавцы	Котофото \| Oldi \| E2e4online \|

Общие характеристики

Тип	DDR4
Форм-фактор	DIMM
Количество модулей в комплекте	1 шт.
Объем одного модуля	8 ГБ
Тактовая частота	2666 МГц
Пропускная способность	PC21300
CL	19
Напряжение питания	1.2 В
Количество контактов	288
Особенности	Unregistered

Дополнительно

Срок службы	1 г., При соблюдении условий эксплуатации, указанных производителем.
Гарантийный срок	1 г., При соблюдении условий эксплуатации, указанных производителем.

Память и процессор

Оперативная память	8 Gb
Конфигурация памяти (модули х емкость)	1 x 8 GB
Тип внутренней памяти	DDR4
Тактовая частота памяти	2666 MHz
Комплектующие для	ПК/сервер
Форм-фактор памяти	288-pin DIMM
Error-correcting code (ECC)	нет
Напряжение памяти	1.2 V