Оперативная память для ноутбука Kingston KVR26S19S6/8 SO-DIMM 8Gb DDR4 2666 MHz KVR26S19S6/8 в Москвe

4,5

2 оценки - 2 отзыва

Оперативная память для ноутбука Kingston KVR26S19S6/8 SO-DIMM 8Gb DDR4 2666 MHz KVR26S19S6/8

0 оценки - 0 отзыва

Kingston KVR26S19S6/8 в Москвe

Артикул	1000005121
Имя товара	Оперативная память для ноутбука Kingston KVR26S19S6/8 SO-DIMM 8Gb DDR4 2666 MHz KVR26S19S6/8
Производитель	Kingston
Артикул производителя	KVR26S19S6/8
Штрихкод	740617311341
Модель	-
Найденные продавцы	Oldi \| Котофото \| E2e4online \| Техпорт \|

<h2 class="description_title">Обзор оперативной памяти Kingston KVR26S19S6/8</h2> <p class="description_desc">Оперативная память Kingston KVR26S19S6/8 SO-DIMM 8Gb DDR4 2666 MHz представляет собой высокопроизводительное решение для вашего ноутбука, обеспечивая стабильность и эффективность работы системы. Kingston известен своей надежностью и долговечностью компонентов, и этот модуль памяти не является исключением. Благодаря проверенному качеству и передовым характеристикам, данный продукт доставит удовлетворение каждому пользователю.</p> <h3 class="description_title">Технические характеристики и преимущества</h3> <p class="description_desc">Эта модель памяти использует стандарты DDR4 SDRAM, что обеспечивает высокую скорость работы и меньшую энергозатратность по сравнению с предыдущими поколениями. Форм-фактор 260-контактного SO-DIMM делает его совместимым с большинством современных ноутбуков. Объем в 8 Gb позволит эффективно справляться с многозадачностью, а частота в 2666 MHz гарантирует быструю обработку данных.</p> <p class="description_desc">Одно из преимуществ этой оперативной памяти - это CL19 роль задержки, что положительно влияет на быстродействие системы. Программируемое в соответствии с JEDEC стандартом задержки DDR4-2666 с таймингом 19-19-19 и напряжением 1,2V, это устройство предлагает высокие параметры производительности.</p> <h3 class="description_title">Особенности и условия эксплуатации</h3> <p class="description_desc">Память Kingston KVR26S19S6/8 спроектирована для работы в температурном диапазоне от 0°C до +85°C, а хранение возможно при температурах от -55°C до +100°C. Она отвечает стандартам безопасности UL с рейтингом 94 V-0 и соответствует RoHS, поэтому не содержит галогенов. Это подчеркивает экологичность и безопасность компонентов для использования в любых условиях эксплуатации.</p> <p class="description_desc">Электропитание устройства предусматривает VDD = 1.2V типичное, VDDQ = 1.2V типичное, VPP = 2.5V типичное, VDDSPD = 2.2V до 3.6V, что обеспечивает минимальные энергозатраты. Материнская плата поддерживает однorangовое однокристальное завершение (ODT) для данных, строба и сигналов маски, а также инверсию шины данных (DBI), что способствует снижению ошибок передачи данных.</p> <p class="description_desc">Благодаря топологии с пролётом (Fly-by topology) и завершённой управляющей команде и шине адресов, данная память идеально подходит для интенсивно нагруженных приложений и игр, что делает ее незаменимой для профессионалов и геймеров. Высота платы составляет всего 30.00mm, что обеспечивает легкую инсталляцию в современных ноутбуках.</p> <p class="description_desc">В заключение, оперативная память Kingston KVR26S19S6/8 SO-DIMM 8Gb DDR4 – это надежный и производительный компонент, который поможет улучшить производительность любого ноутбука, оставаясь при этом энергоэффективным и экологически безопасным решением. Это выбор для тех, кто стремится к максимальной производительности и надежности в работе.</p>

1890.00 ₽

Найдено 4 предложения данного товара

Все товары бренда Kingston

Все товары бренда Kingston в категории Оперативная память

Технические характеристики Kingston KVR26S19S6/8

Артикул в нашем сервисе	1000005121
Имя товара	Оперативная память для ноутбука Kingston KVR26S19S6/8 SO-DIMM 8Gb DDR4 2666 MHz KVR26S19S6/8
Производитель	Kingston
Артикул производителя	KVR26S19S6/8
Штрихкод	740617311341
Модель	-
Найденные продавцы	Oldi \| Котофото \| E2e4online \| Техпорт \|

Тип

Тип памяти	DDR4 SDRAM
Фактор формата	260-контактный SO-DIMM
Ранг	Одноранговый (1Rx16)
ECC	Не-ECC

Технические характеристики

Емкость	8 Gb
Скорость	2666 MHz
Напряжение	1.2 V
Задержка	CL19 (19-19-19)
Контакты с золотым покрытием	да
SPD	Запрограммировано в соответствии с JEDEC стандартом задержки DDR4-2666 таймингом 19-19-19 при 1.2V

Условия эксплуатации

Рабочая температура	0°C до +85°C
Температура хранения	-55°C до +100°C
UL Рейтинг	94 V - 0

Электропитание

VDD = 1.2V типичное, VDDQ = 1.2V типичное, VPP = 2.5V типичное, VDDSPD = 2.2V до 3.6V

Особенности

Номинальное и динамическое завершение на кристалле (ODT)	Для данных, строба и сигналов маски
Низкое энергопотребление в режиме автоматического самовосстановления (LPASR)	да
Инверсия шины данных (DBI)	Для шины данных
Генерация и калибровка VREFDQ на кристалле	да
Одноранговый	да
Наличие последовательного обнаружения наличия (SPD) EEPROM на плате	да
Внутренние банки	8 внутренних банков; 2 группы по 4 банка каждая
Фиксированная нарезка взрывов (BC) и длина взрывов (BL)	4 и 8 через набор регистров режима (MRS),
Выбор BC4 или BL8 на лету (OTF)	да
Топология с пролётом (Fly-by topology)	да
Завершённая управляющая команда и шина адресов	да
Плата	Высота 1.18” (30.00mm)
Соответствие RoHS и не содержит галогенов	да