Твердотельный накопитель (SSD) Samsung 2Tb 990 Pro, 2280, PCIe 4.0 x4 (MZ-V9P2T0B/AM) Retail

4,5

2 оценки - 2 отзыва

0 оценки - 0 отзыва

Samsung MZ-V9P2T0B/AM

Артикул	1000392405
Имя товара	Твердотельный накопитель (SSD) Samsung 2Tb 990 Pro, 2280, PCIe 4.0 x4 (MZ-V9P2T0B/AM) Retail
Производитель	Samsung
Артикул производителя	MZ-V9P2T0B/AM
Штрихкод	887276657011
Модель	-
Найденные продавцы	E2e4online \| Котофото \| Oldi \|

Артикул: 1180057

25600.00 ₽

Все товары бренда Samsung

Артикул в нашем сервисе	1000392405
Имя товара	Твердотельный накопитель (SSD) Samsung 2Tb 990 Pro, 2280, PCIe 4.0 x4 (MZ-V9P2T0B/AM) Retail
Производитель	Samsung
Артикул производителя	MZ-V9P2T0B/AM
Штрихкод	887276657011
Модель	-
Найденные продавцы	E2e4online \| Котофото \| Oldi \|

Линейка	990 PRO
Емкость	2 ТБ
Тип флэш-памяти	TLC
Контроллер	Samsung
Назначение	для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой, для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, игровой
Форм-фактор	M.2 2280

Объем буфера	1024 МБ
Скорость чтения	7450 МБ/с
Скорость записи	6900 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)	1550000 IOPS

Ударостойкость при работе	1500 G
Ударостойкость при хранении	1500 G
Время наработки на отказ	1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)	1200 ТБ

Поддержка технологий

NVMe, TRIM, NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных

Потребляемая мощность	8.5 Вт
Высота	22 мм
Длина	80 мм
Ширина	2.3 мм
Вес	9 г
Дополнительная информация	маскимальная потребляемая мощность в режиме Burst: 8,5 Вт
Гарантийный срок	12 мес., Гарантия продавца

версия NVMe	2.0
Алгоритмы шифрования данных	256-bit AES
форм-фактор тевродотельного диска	M.2
Объем SSD	2 Tb
Интерфейс	PCI Express 4.0
Тип памяти	V-NAND MLC
NVMe	да
Комплектующие для	ПК
аппаратное шифрование	да
Скорость считывания	7450 MB/s
Скорость записи	6900 MB/s
Случайное чтение (4KB)	1400000 IOPS
Случайная запись (4KB)	1550000 IOPS
линии данных интерфейса PCI Express	x4
M.2 SSD size	2280 (22 x 80 mm)
Поддержка DevSlp (device sleep)	да
Поддержка S.M.A.R.T.	да
Поддержка TRIM	да
Внешний кеш DDR	да
Количество внешнего кеша DDR	2048 MB
Среднее время наработки на отказ	1500000 h
оценка суммарного числа записываемых байтов	1200

Рабочее напряжение	3,3 V
Среднее потребление энергии	5,5 W
Потребление мощности (холостой ход)	0,055 W

Диапазон температур при эксплуатации	0 - 70 °C
Максимальная температура при эксплуатации	70 °C
Ударная нагрузка в рабочем режиме	1500 G