2 оценки - 2 отзыва
Артикул | 1000014949 |
Имя товара | Накопитель SSD Samsung 256Gb PM9A1 PCI-E 4.0 NVMe M.2 2280 OEM (MZVL2256HCHQ-00B00) |
Производитель | Samsung |
Артикул производителя | MZVL2256HCHQ-00B00 |
Штрихкод | - |
Модель | - |
Найденные продавцы | Oldi | Котофото | E2e4online | |
Накопитель SSD Samsung 256Gb PM9A1 PCI-E 4.0 NVMe M.2 2280 OEM (MZVL2256HCHQ-00B00)
7220.00 ₽
Найдено 3 предложения данного товара
Накопитель SSD Samsung 256Gb PM9A1 PCI-E 4.0 NVMe M.2 2280 OEM (MZVL2256HCHQ-00B00)
7220.00 ₽
Твердотельный накопитель (SSD) Samsung 256Gb PM9A1, 2280, PCI-E, NVMe (MZVL2256HCHQ-00B00)
7800.00 ₽
Артикул в нашем сервисе | 1000014949 |
Имя товара | Накопитель SSD Samsung 256Gb PM9A1 PCI-E 4.0 NVMe M.2 2280 OEM (MZVL2256HCHQ-00B00) |
Производитель | Samsung |
Артикул производителя | MZVL2256HCHQ-00B00 |
Штрихкод | - |
Модель | - |
Найденные продавцы | Oldi | Котофото | E2e4online | |
Емкость | 256 ГБ |
Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
Контроллер | Samsung |
Назначение | для ноутбука и настольного компьютера |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Интерфейсы | PCI-E |
Тип разъема M.2 | 2280, M |
Тип PCI-E | PCI-E 4.0 x4 |
Скорость чтения | 6400 МБ/с |
Скорость записи | 2700 МБ/с |
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 600000 IOPS |
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Поддержка технологий | NVMe |
Высота | 2.38 мм |
Длина | 20.15 мм |
Ширина | 80.15 мм |
Гарантийный срок | 6 мес. |
форм-фактор тевродотельного диска | M.2 |
Объем SSD | 256 GB |
Интерфейс | PCI Express 4.0 |
Тип памяти | TLC |
NVMe | да |
Комплектующие для | Ноутбук |
Скорость считывания | 6400 MB/s |
Скорость записи | 2700 MB/s |
Случайное чтение (4KB) | 500000 IOPS |
Случайная запись (4KB) | 600000 IOPS |
Код гармонизированной системы описания (HS) | 84717070 |
Емкость | 256 ГБ |
Варианты | 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ |
Перепрограммирование | 17.6 ГБ / 7.4% |
Статус производства | Активен |
Дата выпуска | 22 сентября 2020 |
Номер детали | MZVL2256HCHQ-00000 |
Рынок | Потребительский |
Форм-фактор | M.2 2280 (односторонний) |
Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
Протокол | NVMe 1.3 |
Последовательное чтение | 6,400 МБ/с |
Последовательная запись | 2,700 МБ/с |
Случайное чтение | 500,000 IOPS |
Случайная запись | 600,000 IOPS |
Надежность | 150 TBW |
Гарантия | 5 лет |
Среднее время между отказами (MTBF) | 1.5 миллиона часов |
Полных стираний в день (DWPD) | 0.3 |
Кэш записи SLC | примерно 49 ГБ (45 ГБ динамический + 4 ГБ статический) |
Скорость при исчерпании кэша | примерно 500 МБ/с |
Имя | Elpis (S4LV003) |
Архитектура | ARM 32-разрядный Cortex-R8 |
Количество ядер | 5-ядерный |
Технологический процесс | 8 нм |
Каналы флеш-памяти | 8 @ 1,400 МТ/с |
Управление кристаллами | 8 |
Особенности контроллера | DRAM (включен) |
Имя | V-NAND V6 |
Тип | TLC |
Технология | 128-слойная |
Скорость | 800 МТ/с .. 1200 МТ/с |
Емкость | 2 чипа @ 1 Тбит |
Переключение | 4.0 |
Топология | Захват заряда |
Кристаллов на чип | 4 кристалла @ 256 Гбит |
Планаров на кристалл | 2 |
Уровней на кристалл | 1 |
Слов в цепочке NAND | 136 на строку NAND, 94.1% вертикальная эффективность |
Время чтения (tR) | 45 мкс |
Время программирования (tProg) | 400 мкс |
Время стирания блока (tBERS) | 3.5 мс |
Скорость чтения кристалла | 711 МБ/с |
Скорость записи кристалла | 84 МБ/с |
Размер страницы | 16 КБ |
Тип | LPDDR4-1866 |
Емкость | 512 МБ (1x 512 МБ) |
Организация | 4Gx32 |
TRIM | да |
SMART | да |
Защита от потери питания | нет |
Шифрование | нет |
Подсветка RGB | нет |
Совместимость с PS5 | да |
Скорость шины NAND | 800 МТ/с до 1400 МТ/с |
Контроллер шины флеш-памяти NAND | Не подтверждено, может быть выше или ниже |
Кристалл NAND | Этот кристалл теоретически должен иметь меньшее количество блоков на каждый план |
У данного товара нет отзывов. Станьте первым, кто оставит отзыв об этом товаре!
Оставить отзывНакопитель SSD Samsung 256Gb PM9A1 PCI-E 4.0 NVMe M.2 2280 OEM (MZVL2256HCHQ-00B00)
Оценка *
Впечатления