Память DDR3 SODIMM 2Gb, 1333MHz, CL9, 1.5 В, Kingston (KVR1333D3S9/2G) в Москвe

4,5

2 оценки - 2 отзыва

0

0 оценки - 0 отзыва

Kingston KVR1333D3S9/2G в Москвe

Артикул 1000217442
Имя товара Память DDR3 SODIMM 2Gb, 1333MHz, CL9, 1.5 В, Kingston (KVR1333D3S9/2G)
Производитель Kingston
Артикул производителя KVR1333D3S9/2G
Штрихкод 94473
Модель KVR1333D3S9/2G
Найденные продавцы E2e4online |

Артикул: 153849

1200.00 ₽

Найдено 1 предложения данного товара

Все товары бренда Kingston

Технические характеристики Kingston KVR1333D3S9/2G

Артикул в нашем сервисе 1000217442
Имя товара Память DDR3 SODIMM 2Gb, 1333MHz, CL9, 1.5 В, Kingston (KVR1333D3S9/2G)
Производитель Kingston
Артикул производителя KVR1333D3S9/2G
Штрихкод 94473
Модель KVR1333D3S9/2G
Найденные продавцы E2e4online |

Характеристики

Линейка ValueRAM
Тип DDR3
Форм-фактор SODIMM
Количество модулей в комплекте 1 шт.
Объем одного модуля 2 ГБ
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность PC10600
CL 9
Напряжение питания 1.5 В
Количество контактов 204
Особенности Unregistered

Дополнительно

Срок службы 2 г.
Гарантийный срок 12 мес.

Основные характеристики

Тип DDR3 SODIMM
Емкость 2 GB
Скорость 1333 MHz
Количество модулей в наборе 1
Количество контактов 204-pin
Размеры модуля Высота 1.180” (30.00mm), компоненты с обеих сторон

Электрические характеристики

Напряжение 1.5 V ± 0.075V
Потребляемая мощность 1.200 W (в работе)
Рейтинг UL 94 V - 0

Температурные характеристики

Температура в работе 0° C to 85° C
Температура хранения -55° C to +100° C

Тайминги и задержки

Задержка CAS (CL) 9
Минимальное время цикла строки (tRCmin) 49.5ns
Минимальное время активации строки (tRASmin) 36ns
Минимальное время команды обновления (tRFCmin) 110ns
Период обновления 7.8us при TCASE < 85°C, 3.9us при 85°C < TCASE ≤ 95°C
Программируемая задержка CAS 5,6,7,8,9,10
Программируемая дополнительная задержка 0, CL - 2,... или CL - 1 такт
Программируемая задержка записи CAS 7 (DDR3-1333)

Архитектурные особенности

Предвыборка на 8 бит да
Длина пакета 8 (переключение без ограничений, последовательный с начальным адресом '000' только), 4 при tCCD = 4
Двунаправленный дифференциальный опрос тактовых импульсов данных да
Внутренняя калибровка Через ZQ контакт (RZQ : 240 ohm ± 1%)
Терминация на кристалле С использованием ODT контакта
Асинхронный сброс да
Показать все характеристики Скрыть характеристики

Вы недавно смотрели

Похожие товары

Новые товары