Твердотельный накопитель/ Samsung SSD PM9B1, 512GB, M.2(22x80mm), NVMe, PCIe 4.0 x4, R/W 3500/2500MB/s, IOPs 430 000/400 000 (12 мес.)

4,5

2 оценки - 2 отзыва

Твердотельный накопитель/ Samsung SSD PM9B1, 512GB, M.2(22x80mm), NVMe, PCIe 4.0 x4, R/W 3500/2500MB/s, IOPs 430 000/400 000 (12 мес.)

0 оценки - 0 отзыва

Samsung MZVL4512HBLU-00B07

Артикул	1000020549
Имя товара	Твердотельный накопитель/ Samsung SSD PM9B1, 512GB, M.2(22x80mm), NVMe, PCIe 4.0 x4, R/W 3500/2500MB/s, IOPs 430 000/400 000 (12 мес.)
Производитель	Samsung
Артикул производителя	MZVL4512HBLU-00B07
Штрихкод	-
Модель	-
Найденные продавцы	Oldi \| E2e4online \|

<h2 class="description_title">Введение в мир надежного хранения данных</h2> <p class="description_desc">Твердотельный накопитель Samsung SSD PM9B1 - это надежное и производительное решение для хранения и обработки данных на вашем компьютере или ноутбуке. Этот SSD обладает исключительными характеристиками, такими как высокая скорость чтения до 3500 MB/s и запись до 2500 MB/s, что делает его идеальным выбором для пользователей, которым важно быстрое выполнение задач и безупречная работа системы. Благодаря форм-фактору M.2 2280, при подключении через интерфейс PCIe 4.0 x4, этот накопитель не только экономит пространство внутри вашего устройства, но и улучшает его общую производительность.</p> <h3 class="description_title">Характеристики и производительность</h3> <p class="description_desc">Samsung SSD PM9B1 объемом 512 GB создана на основе V-NAND типа памяти TLC. Технология 128-слойной NAND обеспечивает высокую плотность записи, что делает накопитель более емким и быстрым. Используемый контроллер Marvell 88SS1322 Whistler Plus на платформе Arm Cortex-R5 с трехъядерной архитектурой и изготовленный по 12 нм техпроцессу, гарантирует быстродействие и надежность данных операций. Производительность контроллера значительно улучшается применением технологии HMB (Host Memory Buffer) с объемом 64 MB, что способствует быстрому доступу к данным и повышенной устойчивости работы системы.</p> <p class="description_desc">Помимо этого, наличие NVMe 1.4 протокола позволяет достичь небывалых показателей произвольного чтения и записи, достигающих 430,000 и 400,000 IOPS соответственно. Благодаря этому, Samsung SSD PM9B1 идеально подходит для многозадачной работы, включая обработку больших файлов, редактирование медиа-контента и запуск ресурсоемких приложений. Накопитель поддерживает функции TRIM и SMART, которые обеспечивают эффективное управление и мониторинг состояния диска, продлевая его срок службы и гарантируя стабильную работу.</p> <h3 class="description_title">Долговечность и надежность</h3> <p class="description_desc">Samsung заботится о ваших данных, поэтому SSD PM9B1 разработан с учетом максимальной износостойкости и ресурса до 3000 циклов P/E. Поперечная структура слоев и усовершенствованные словарные линии делают этот накопитель надежным и устойчивым к ухудшению производительности по мере его использования. Заявленный производителем MTBF составляет 1,500,000 часов, что подтверждает долговечность и устойчивость решения.</p> <p class="description_desc">С учетом всех достоинств, твердотельный накопитель Samsung SSD PM9B1 - это идеальное решение для вашего компьютера или ноутбука. Благодаря быстрому доступу к данным и высокой производительности, он позволит вам не беспокоиться о хранении и безопасности вашего контента, обеспечивая максимально плавную и быструю работу системы.</p>

7740.00 ₽

Найдено 2 предложения данного товара

Все товары бренда Samsung

Все товары бренда Samsung в категории SSD

Технические характеристики Samsung MZVL4512HBLU-00B07

Артикул в нашем сервисе	1000020549
Имя товара	Твердотельный накопитель/ Samsung SSD PM9B1, 512GB, M.2(22x80mm), NVMe, PCIe 4.0 x4, R/W 3500/2500MB/s, IOPs 430 000/400 000 (12 мес.)
Производитель	Samsung
Артикул производителя	MZVL4512HBLU-00B07
Штрихкод	-
Модель	-
Найденные продавцы	Oldi \| E2e4online \|

Свойства

форм-фактор тевродотельного диска	M.2
Объем SSD	512 GB
Интерфейс	PCI Express 4.0
Тип памяти	V-NAND
NVMe	да
Комплектующие для	ПК/ноутбук
Скорость считывания	3500 MB/s
Скорость записи	2500 MB/s
Случайное чтение (4KB)	430000 IOPS
Случайная запись (4KB)	400000 IOPS

Основные характеристики

Номер детали	MZVL4512HBLU-00BL7, MZVL4512HBLU-00B07
Емкость	512 GB
Форм-фактор	M.2 2280 (односторонний)
Интерфейс	PCIe 4.0 x4
Протокол	NVMe 1.4

Контроллер

Контроллер	Marvell 88SS1322 Whistler Plus
Архитектура	Arm Cortex-R5
Количество ядер	трехъядерный
Технологический процесс	12 nm
Каналы флэш-памяти	4 @ 1,200 MT/s
Чип включает	4
Особенности контроллера	HMB (включен)

Тип NAND-памяти

Тип	Samsung V-NAND V6
Тип NAND	TLC
Технология	128-слойная
Скорость	1200 MT/s
Емкость	1 чип @ 4 Tbit
Переключение	4.0
Топология	Зарядовый ловитель
Размер кристалла	102 mm² (5.0 Gbit/mm²)
Кристаллов на чип	8 кристаллов @ 512 Gbit
Плоскости на кристалл	2
Палубы на кристалл	1
Словарные линии	136 на строку NAND, 94.1% вертикальной эффективности
Время чтения (tR)	45 µs
Время программирования (tProg)	390 µs
Время стирания блока (tBERS)	3.5 ms
Скорость чтения кристалла	711 MB/s
Скорость записи кристалла	82 MB/s
Износостойкость	До 3000 циклов P/E
Размер страницы	16 KB

Характеристики производительности

Буфер памяти хоста (HMB)	64 MB
Последовательное чтение	3,500 MB/s
Последовательная запись	2,500 MB/s
Случайное чтение	430,000 IOPS
Случайная запись	400,000 IOPS
Кэш записи SLC	да
TRIM	да
SMART	да

Дополнительные функции

Защита от потери питания	нет
Шифрование	нет
RGB-подсветка	нет
Совместимость с PS5	да
MTBF	1,500,000 часов
Гарантия	3 года